何军教授，现任武汉大学物理科学与技术学院院长，教授/博士生导师，国家杰出青年基金获得者、入选中组部高层次人才计划、科技部高层次人才计划、享受国务院特殊津贴专家、科技部重大研发计划首席科学家以及基金委重大研究计划（集成）项目负责人等。

研究领域：

    我们致力于新型低维半导体的可控制备及器件应用研究，旨在通过材料结构设计、生长控制、性能调控及器件优化实现高性能半导体的电子、光电子器件应用。

主要从事的研究方向包括：

1）新型低维材料的可控制备与量子物性研究

2）基于新型低维半导体材料新原理、新结构的电子器件设计与制造；

3）新型二维半导体材料及其异质结的下一代电子、光电子器件及其硅基集成研究；

4）低维磁性材料物性研究及其低功耗自旋电子器件的制备。

主要学术成绩：

    近年来何军研究团队开展了新型低维半导体材料及其电子、光电器件应用研究。将范德华外延法普适性地应用于层状/非层状半导体材料二维化生长，实现了具有不同晶体结构的二维材料可控生长及阵列结构，构筑了基于范德华异质结的光电子多功能器件，获得了一系列受到国际同行重视的研究进展。已发表SCI研究论文200余篇，其中包括Science、Nature Materials 、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances等影响因子大于10的通讯作者论文百余篇，论文引用超过20000次；申请发明专利40项，授权20余项。以第一完成人先后获得教育部自然科学一等奖、北京市自然科学奖一等奖、湖北省自然科学奖一等奖、中国材料学会科技奖一等奖、中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖、国际材料学会联盟前沿材料科学家奖、中国科学院优秀导师奖、中国科学院朱李月华优秀教师奖和中国科学院大学BHPB导师奖等。

    目前担任湖北省物理学会理事长，中国材料研究学会纳米材料与器件分会副理事长，高教社&Springer合作期刊Frontiers of Physics主编；兼任Sci. Bull.副主编、Elsevier旗下Mater. Today Chem.副主编等，并与国家电网、高德红外等企业合作开发新型信息器件及高能效芯片，主持系统级应用研发项目。

Selected Publications:

1. Room-Temperature Amplified Spontaneous Emission in Two-Dimensional WS2 beyond Exciton Mott Transition；Yan Xu, Yihan Xiang, Meng Shi，Baoxing Zhai, Wei Dai, Ti Wang, Xiaoze Liu, Yiling Yu,* and Jun He*；Physical Review Letters（2025） accepted， Editors' Suggestion

2. High-κ monocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics, Lei Yin, Ruiqing Cheng, Xuhao Wan, Jiahui Ding, Jun Jia, Yao Wen, Xiaoze Liu, Yuzheng Guo* and Jun He*；Nature Materials (2024) https://www.nature.com/articles/s41563-024-02043-3

3. Memristors with analogue switching and high on/off ratios using a van der Waals metallic cathode, Yesheng Li*, Yao Xiong, Xiaolin Zhang, Lei Yin, Yiling Yu, Hao Wang, Lei Liao and Jun He*；Nature Electronics (2024)https://www.nature.com/articles/s41928-024-01269-y

4. Controllable van der Waals gaps by water adsorption，Chang Liu, Xuming Zou*, Yawei Lv, Xingqiang Liu, Chao Ma, Kenli Li, Yuan Liu, Yang Chai, Lei Liao* and Jun He*；Nature Nanotechnology 19, 448–454 (2024)

5. Monolayer black phosphorus and germanium arsenide transistors via van der Waals channel thinning,Wanying Li, Quanyang Tao, Zhiwei Li, Guanhua Yang, Zheyi Lu, Yang Chen, Yao Wen, Yiliu Wang , Lei Liao , Yuan Liu*  and Jun He*；Nature Electronics 7, 131–137 (2024)

6. Growth of single-crystal black phosphorus and its alloy films through sustained feedstock release, Cheng Chen, Yuling Yin, Rencong Zhang, Qinghong Yuan, Yang Xu, Yushuang Zhang, Jie Chen, Yan Zhang, Chang Li, Junyong Wang, Jie Li, Linfeng Fei, Qiang Yu, Zheng Zhou, Huisheng Zhang, Ruiqing Cheng, Zhuo Dong, Xiaohong Xu, Anlian Pan*, Kai Zhang*; Jun He*;  Nature Materials 22, 717–724  (2023)

7. Molybdenum disulfide transistors with enlarged van der Waals gaps at their dielectric interface via oxygen accumulation，Pengfei Luo, Chang Liu, Jun Lin, Xinpei Duan, Wujun Zhang, Chao Ma, Yawei Lv, Xuming Zou, Yuan Liu, Frank Schwierz, Wenjing Qin*, Lei Liao*, Jun He* and Xingqiang Liu*；Nature Electronics 5，849–858(2022)

8. Speeding protons with metal vacancies, Fengmei Wang*, Jun He*；Science 370, 525-526 (2020).

9. High-performance, multifunctional devices based on asymmetric van der Waals heterostructures, Ruiqing Cheng, Feng Wang, Lei Yin, Zhenxing Wang, Yao Wen, Tofik Ahmed Shifa and Jun He*； Nature Electronics 1, 356 (2018)

主持或参与科研项目

1. 国家自然科学基金重大研究计划（集成）项目，92464303，面向大规模CMOS集成的二维半导体技术，2025/01-2027/12,1500万元，项目负责人；

2. 苏州实验室2024年度开放课题，100万元，项目负责人；

3. 国家自然科学基金联合基金项目、重点支持项目，U23A20364, 基于二维结构的星载智能探测成像芯片研究，2024/01-2027/12, 263万元，项目负责人；

4. 高德红外股份有限公司技术开发（委托）合同，*****红外探测器，2023/05-2026/12，500万元，项目负责人；

5. 国家电网项目，电网人工智能模型优化研究项目，2022/12-2023/12,65万元，项目负责人；

6. 国家自然科学基金重大研究计划、重点支持项目，91964203, 二维层状材料及其异质器件集成，2020/01-2023/12, 300万元，项目负责人；

7. 科技部国家重点研发计划, 2018YFA0703700, 晶圆级二维电子材料的外延生长、异质结构筑及电子器件，2019-2024， 2171万， 项目负责人；

8. 中国科学院战略性先导科技专项B类，2020/01-2024/12,100万元，已结题，参与;

9. 国家自然科学基金应急管理项目，61851403，新型二维半导体材料及其光电子器件的硅基集成，2019/01-2021/12, 300万元，项目负责人；

10. 中组部高层次人才计划,2018/01-2021/12,80万元，项目负责人；

11. 中国科学院先导A类项目,2018/01-2021/12,80万元，项目负责人；

12. JWKJW创新项目，XXXX项目，2018/11-2021/11, 150万元，项目负责人；

13. 国家杰出青年科学基金，61625401，新型二维硫族半导体及电子、光电子器件，2017/01-2021/12，350万元，项目负责人；

14. 科技部国家重点研发计划，2016YFA0200700，光电转换体系中物理化学性质的跨尺度表征与测量，2017/01-2021/12，200万元，参与；

15. 国家自然科学基金面上项目，61574050，二维拓扑晶态绝缘体可控生长及表面态输运调控，2016/01-2019/12，80.8万元，已结题，项目负责人；

16. 中国科学院装备研制项目，YZ201517，硫族二维层状半导体材料范德华外延生长设备（E-vdWED），284万元，已结题，项目负责人；

17. 国家自然科学基金面上项目，21373065，：(In,Ga)₂Te₃一维纳米结构及其核壳复合材料的可控制备与光电性能研究，2014/01-2017/12，81万元，已结题，项目负责人；

18. “一三五”卓越中心培育项目，2014/1-2015/12，50万元，已结题，参与;

19. 中国科学院先导A类项目，XDA09040201，2013/01-2018/8，310万元， 已结题，参与；

20. 中国科学院重点部署项目，图案化硅衬底上III-VA族半导体生长，2013/01-2017/12，100万元，已结题，项目负责人；

21. 中国科学院引进海外杰出人才，270万，已结题，项目负责人；