何军教授,现任武汉大学物理科学与技术学院院长,教授/博士生导师,国家杰出青年基金获得者、科技部重大研发计划首席科学家、中组部 “万人计划”中青年科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才,享受国务院特殊津贴专家。
研究领域:
我们致力于新型低维半导体的可控制备及器件应用研究,旨在通过材料结构设计、生长控制、性能调控及器件优化实现高性能半导体的电子、光电子器件应用。
主要从事的研究方向包括:
1)新型低维材料的可控制备与量子物性研究
2)基于新型低维半导体材料新原理、新结构的电子器件设计与制造;
3)新型二维半导体材料及其异质结的下一代电子、光电子器件及其硅基集成研究;
4)低维磁性材料物性研究及其低功耗自旋电子器件的制备。
主要学术成绩:
近年来何军研究团队开展了新型低维半导体材料及其电子、光电器件应用研究。将范德华外延法普适性地应用于层状/非层状半导体材料二维化生长,实现了具有不同晶体结构的二维材料可控生长及阵列结构,构筑了基于范德华异质结的光电子多功能器件,获得了一系列受到国际同行重视的研究进展。已发表SCI研究论文200余篇,其中包括Science、Nature Materials 、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances等影响因子大于10的通讯作者论文百余篇,论文引用超过20000次;申请发明专利40项,授权20余项。以第一完成人先后获得教育部自然科学一等奖、北京市自然科学奖一等奖、湖北省自然科学奖一等奖、中国材料学会科技奖一等奖、中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖、国际材料学会联盟前沿材料科学家奖、中国科学院优秀导师奖、中国科学院朱李月华优秀教师奖和中国科学院大学BHPB导师奖等。
目前担任湖北省物理学会理事长,中国材料研究学会纳米材料与器件分会副理事长,高教社&Springer合作期刊Frontiers of Physics主编;兼任Sci. Bull.副主编、Elsevier旗下Mater. Today Chem.副主编等,并与国家电网、高德红外等企业合作开发新型信息器件及高能效芯片,主持系统级应用研发项目。
Selected Publications:
Chang Liu, Xuming Zou, Yawei Lv, Xingqiang Liu, Chao Ma, Kenli Li, Yuan Liu, Yang Chai, Lei Liao & Jun He*; Controllable van der Waals gaps by water adsorption,
Nat. Nanotechnol. 19, pages448–454 (2024)
Wanying Li , Quanyang Tao, Zhiwei Li, Guanhua Yang, Zheyi Lu, Yang Chen, Yao Wen, Yiliu Wang , Lei Liao , Yuan Liu &Jun He*;Monolayer black phosphorus and germanium arsenide transistors via van der Waals channel thinning, Nat. Electron. 7, pages131–137 (2024)
Cheng Chen; Yuling Yin; Rencong Zhang; Qinghong Yuan; Yan g Xu; Yushuang Zhang; Jie Chen;Yan Zhang; Chang Li; Junyong Wang; Jie Li; Linfeng Fei; Qiang Yu; Zheng Zhou; Huisheng Zhang; Ruiqing Cheng; Zhuo Dong; Xiaohong Xu; Anlian Pan*; Kai Zhang*; Jun He*; Growth of single-crystal black phosphorus and its alloy films through sustained feedstock release, Nat. Mater. 22, 717–724 (2023)
Fengmei Wang*, Jun He*,Speeding protons with metal vacancies, Science 370, 525-526 (2020).
Pengfei Luo; Chang Liu; Jun Lin; Xinpei Duan; Wujun Zhang; Chao Ma; Yawei Lv; Xuming Zou;Yuan Liu; Frank Schwierz; Wenjing Qin*; Lei Liao*; Jun He*; Xingqiang Liu* , Molybdenum disulfidetransistors with enlarged van der Waals gaps at their dielectric interface via oxygen accumulation, Nat. Electron. 5(12): 849-858 (2022)
R. Q. Cheng, F. Wang, L. Yin, Z. X. Wang, Y. Wen, T. Shifa and Jun He*, High-performance, multifunctional devices based on asymmetric van der Waals heterostructures, Nat. Electron. 1, 356 (2018)
Ruiqing Cheng; Lei Yin; Yao Wen; Baoxing Zhai; Yuzheng Guo; Zhaofu Zhang; Weitu Liao;Wenqi Xiong; Hao Wang; Shengjun Yuan; Jian Jiang; Chuansheng Liu; Jun He* ; Ultrathin ferrite nanosheets for room-temperature two-dimensional magnetic semiconductors, Nat. Commun.13(1): 5241 (2022)
Ruofan Du; Yuzhu Wang; Mo Cheng; Peng Wang; Hui Li; Wang Feng; Luying Song; Jianping Shi*; Jun He*; Two-dimensional multiferroic material of metallic p-doped SnSe, Nat. Commun. 13(1): 6130 (2022)
Lei Yin, Peng He, Ruiqing Cheng, Feng Wang, Fengmei Wang, Zhenxing Wang, Yao Wen and Jun He*,Robust trap effect in transition metal dichalcogenides for advanced multifunctional devices, Nat. Commun. 10, 4133 (2019)
Qisheng Wang; Yao Wen; Kaiming Cai; Ruiqing Cheng; Lei Yin; Yu Zhang; Jie Li; Zhenxing Wang; Feng Wang; Fengmei Wang; Tofik Ahmed Shifa; Chao Jiang*; Hyunsoo Yang*; Jun He*; Nonvolatile infrared memory in MoS2/PbS van der Waals heterostructure, Sci. Adv. 4:eaap7916 (2018)
主持或参与科研项目
国家自然科学基金联合基金项目、重点支持项目,U23A20364, 基于二维结构的星载智能探测成像芯片研究,2024/01-2027/12, 263万元,项目负责人;
国家自然科学基金重大研究计划、重点支持项目,91964203, 二维层状材料及其异质器件集成,2020/01-2023/12, 300万元,项目负责人;
科技部国家重点研发计划, 2018YFA0703700, 晶圆级二维电子材料的外延生长、异质结构筑及电子器件,2019-2024, 2171万, 项目负责人;
国家自然科学基金应急管理项目,61851403,新型二维半导体材料及其光电子器件的硅基集成,2019/01-2021/12, 300万元,项目负责人;
中组部 “万人计划”中青年科技创新领军人才,2018/01-2021/12,80万元,项目负责人;
中国科学院战略性先导B类培育项目,2018/01-2020/12,30万元,已结题,参与;
JWKJW创新项目,XXXX项目,2018/11-2021/11, 150万元,项目负责人;
国家杰出青年科学基金,61625401,新型二维硫族半导体及电子、光电子器件,2017/01-2021/12,350万元,项目负责人;
科技部国家重点研发计划,2016YFA0200700,光电转换体系中物理化学性质的跨尺度表征与测量,2017/01-2021/12,200万元,参与;
国家自然科学基金面上项目,61574050,二维拓扑晶态绝缘体可控生长及表面态输运调控,2016/01-2019/12,80.8万元,已结题,项目负责人;
中国科学院装备研制项目,YZ201517,硫族二维层状半导体材料范德华外延生长设备(E-vdWED),284万元,已结题,项目负责人;
国家自然科学基金面上项目,21373065,:(In,Ga)2Te3一维纳米结构及其核壳复合材料的可控制备与光电性能研究,2014/01-2017/12,81万元,已结题,项目负责人;
“一三五”卓越中心培育项目,2014/1-2015/12,50万元,已结题,参与;
中国科学院先导A类项目,XDA09040201,2013/01-2018/8,310万元, 已结题,参与;
中国科学院重点部署项目,图案化硅衬底上III-VA族半导体生长,2013/01-2017/12,100万元,已结题,项目负责人;
中国科学院引进海外杰出人才,270万,已结题,项目负责人;
高德红外股份有限公司技术开发(委托)合同,*****红外探测器,2023/05-2026/12,500万元,项目负责人;